Maailman suurin suoritin- ja puolijohdevalmistaja Intel pystyy valmistamaan entistä nopeampia ja pienempiä komponentteja valmistamalla ne 90 nanometrin (nanometri on metrin miljardisosa) viivaleveydellä: näin piikiekosta tehtäviin komponentteihin saadaan mm. enemmän transistoreja.
Intel on jo käyttänyt 90 nanometrin tuotantoteknologiaa muistipiireissä, mutta ensi vuonna teknologia ollaan siirtämässä 300 millimetrin piikiekkoihin ja suoritinvalmistukseen. Ensimmäinen uuden teknologian tuote tulee olemaan koodinimellä Prescott tunnettu Pentium 4 -prosessorin seuraaja, joka tulee markkinoille vuoden 2003 loppupuoliskolla.
Uusi 90 nm -valmistusteknologia yhdistää valmistukseen myös viivaleveyden kavennuksen lisäksi muita teknologioita, joita ei ennen ole käytetty yhtä aikaa suorittimissa: vähemmän virtaa kuluttavat transistorit, venytetty pii (strained silicon), nopeat kupariliitännät (high-speed copper interconnects) ja alhaisen k-arvon omaava eristemateriaali (low-k dielectric –materiaali).
90 nanometrin teknologialla valmistetut puolijohteet sisältävät pienimpiä tuotannossa olevia CMOS-transistoreja: transistoriportin pituus on vain 50 nanometriä, kun 130 nanometrin tekniikalla valmistetun Pentium 4 –suorittimen transistoriporttien pituus on 60 nanometriä. Pienet ja nopeat transistorit ovat yhä tehokkaampien suoritinten rakennusainetta.
Helmikuussa Intel valmisti esimerkiksi 90 nanometrin teknologialla kapasiteetiltaan maailman tehokkaimman SRAM –muistipiirin: 52 megabitin piirissä oli 330 miljoonaa transistoria 109 neliömillimetrin alueella eli noin sormenkynnen kokoisella alueella.