Intelin tutkijat ovat kehittäneet kolmiulotteisen "tri-gate"-transistorin, joka on tavallista yksitasoista transistoria huomattavasti suorituskykyisempi. Transistorit ovat piikiekosta valmistettavien piirisarjojen, kuten pc-suoritinten, peruselementtejä: transistorit ovat mikroskooppisen pieniä, piipohjaisia kytkimiä - "katkaisijoita" - jotka käsittelevät digitaalisen maailman ykkösiä ja nollia.
Intelin tutkijat ovat selvittäneet, että nykyisellä tekniikalla transistorien kutistuminen alle 30 nanometriin (yksi nanometri on metrin miljardisosa) aiheuttaa sen, että virtavuodot lisääntyvät ja transistorit tarvitsevat enemmän tehoa toimiakseen kunnolla. Se taas kuumentaa transistoreja liikaa.
Intelin mukaan yhtiö pystyy kolmiulotteisen rakenteen avulla Intel valmistamaan erittäin pieniä ja suorituskykyisiä transistoreita, jotka kuluttavat vähän virtaa.
Intelin transistorin 3D-rakenne on kuin tasanko, jossa on pystyyn nostetut reunat. Signaalit voivat kulkea transistorin päällä sekä molemmilla vertikaalisilla sivuilla kasvattaen käytettävissä olevan pinta-alan kolminkertaiseksi. Tämä taas parantaa transistorin elektronista johtavuutta, mikä estää ylikuumenemisen.
Intelin mukaan uusi rakenne on lupaava jatko Intelin TeraHertz-transistoriarkkitehtuurille, joka julkistettiin joulukuussa 2001. Tämän kehityksen kautta pysytään Mooren lain – suorituskyky tuplautuu 18 kuukauden kuluessa - tahdissa vielä kuluvan vuosikymmenen toisella puoliskolla ja jälkeenkin.