Intel on ensimmäisenä maailmassa alkanut valmistaa massatuotantona 65 nanometrin nor-flash-muistisiruja, jotka ovat mlc-rakenteisia (multi-level cell).
Matka- ja älypuhelimiin tarkoitettuihin tuotteisiin kuuluu alan ensimmäinen 65 nm 1Gb -yksipalamuisti.
Uudet tuotteet perustuvat Intelin StrataFlash Cellurar Memory (M18) -arkkitehtuuriin. Ne ovat yhteensopivia jo sarjatuotannossa olevien, 90 nanometrin viivanleveydellä valmistettujen flash-sirujen kanssa.
Älypuhelinvalmistajat hyötyvät flash-arkkitehtuurista, joka yksinkertaistaa siirtymistä 90 nm:n teknologiasta 65 nanometriin.
1Gb mlc nor -sirut on tarkoitettu erityisesti seuraavan sukupolven multimediapuhelimille, jotka sisältävät megapikselitason kameran, video-ominaisuuksia sekä nopean tiedonkäsittelyn vaatimia ominaisuuksia. Sirun tiheys tarjoaa melkein tuplasti tallennustilaa ja mahdollistaa entistä ohuemmat puhelimet.
Uudet 65 nm:n nor mlc -osat nostavat tiedon lukunopeutta 133 megahertsiin saakka, mikä parantaa kirjoitusnopeutta megatavun verran sekunnissa. Tällöin kuluttajat voivat käyttää puhelimien megapikseli-kameroita ja mpeg4-videopakkausta nopeammilla vasteajoilla ja paremmilla tallennusominaisuuksilla. Edelliseen 65 nanometrin tuotteeseen nähden kirjoitusnopeus on kaksinkertainen.
Akkukesto on myös pidempi, koska virrankulutus on alhainen.