Intel kertoo saavuttaneensa jälleen yhden rajapyykin kehittäessään seuraavan sukupolven sirunvalmistusteknologiaa. Yhtiö on valmistanut täysin toimivan 70 megabittisen SRAM-muistisirun, jossa on yli puoli miljardia transistoria.
Valmistuksessa on käytetty 65 nanometrin tuotantoteknologiaa. Nanometri on metrin miljardisosa.
Transistoreissa on 35 nanometrin kokoisia portteja eli kytkimiä, jotka laittavat transistorin päälle ja pois. Ne ovat 30 prosenttia pienempiä kuin 90 nm:n teknologiassa. Noin 100 tällaista porttia mahtuisi ihmisen verisolun läpimittaan.
Jokaisessa SRAM-muistikennossa on kuusi transistoria 0,57 neliömikrometrin (µm²) alueella. Kun transistorit pienenevät, ongelmaksi muodostuvat energiahukka ja kuumeneminen. Intel on pyrkinyt hillitsemään virrankulutusta 65 nanometrin teknologiassa.
Aiemmin 90 nm:n transistoreihin kuulunut pingotetun piin teknologia on nyt ulotettu myös 65 nanometriin. Transistorin suorituskyky paranee 10-15 prosenttia ilman, että virtavuodot lisääntyisivät.
Toinen ominaisuus on "nukkuvat" transistorit, jotka sulkevat virrankulun isoille alueille SRAMia, kun niitä ei käytetä, mikä vähentää merkittävästi virrankulutusta sirulla. Tämä ominaisuus on hyödyllinen eritoten sylimikroissa, Intelistä kerrotaan.
65 nanometrin puolijohdetuotteet valmistettiin yhtiön kehitys- ja tuotantolaitoksessa Hillsborossa Oregonissa, jossa myös prosessi kehitettiin. Laitos käyttää tuotannossaan 300 millimetrin piikiekkoja.