Intel kehittää hyvin vähän virtaa kuluttavaa valmistusmenetelmää, joka pohjautuu 65 nanometrin tuotantoprosessiin. Tämä mahdollistaa langattomiin, pieniin laitteisiin suunniteltujen, vähävirtaisten sirujen tuotannon.
Teknologialla voidaan pidentää langattomien laitteiden akunkestoa entisestään, Intelistä kerrotaan.
Prosessi on järjestyksessään toinen, joka pohjautuu 65 nanometrin teknologiaan. 65 nanometrin prosessi mahdollistaa sekä energiansäästön että paremman suorituskyvyn Intelin nykyiseen 90 nanometrin tuotantoprosessiin verrattuna.
Yksi tärkeä asia sirun energiankulutuksen vähentämisessä on transistorin suunnittelun parantaminen. Mikroskooppisten transistoreiden sähkövuodot myös off-asennossa ovat ongelma, joka on haaste koko alalle.
"Kun transistorien määrä sirulla ylittää miljardin, on selvää että parannukset, jotka tehdään yksittäiseen transistoriin, voivat moninkertaistua valtaviksi edistysaskeleiksi", sanoo Mark Bohr Intelistä.