Sirujätti Intel ja Micron Technology perustavat aikataulusta edellä tuotantolaitoksen Singaporeen, joka valmistaa Nand-muisteja.
Tuotanto laajentuu vuoden 2008 toisella vuosineljänneksellä käyttöön otettavan tehtaan kautta merkittävästi ja nostaa Nand-flash-muisteja valmistavien tuotantolaitosten määrän neljään.
Singaporessa muisteja valmistetaan 300 millimetrin piikiekoista 50 nanometrin prosessilla.
Intelin ja Micronin perustama IM Flash virallistettiin tämän vuoden tammikuussa. Tämän jälkeen on perustettu 300 millimetrin piikiekoista Nand-flash-muisteja valmistavia tehtaita Yhdysvaltojen Virginiaan ja Utahiin.
Lisäksi yhteistyön puitteissa Nand-muisteja valmistetaan Micronin tehtaalla Idahossa.
Yritykset julkistivat tämän vuoden heinäkuussa alan ensimmäisen, 50 nanometrin prosessiteknologialla valmistetun Nand-flash-muistin.
Tällä hetkellä kummatkin yritykset testaavat neljän gigabitin 50 nanometrin laitteita, joita on tarkoitus hyödyntää useissa tuotteissa, muun muassa mlc-rakenteisessa (multi-level cell) Nand-teknologiassa ensi vuonna.