Intel kertoo valmistaneensa tiettävästi ensimmäiset täysin toimivat sram (static random access memory) -sirut 45 nanometrin puolijohteiden valmistusprosessilla.
Yhtiön mukaan se on pysynyt suunnitelmiensa tahdissa valmistaa siruja tällä teknologialla ja 300 millimetrin piikiekoilla vuonna 2007.
Tällä hetkellä Intel on suurin puolijohteiden valmistaja 65 nm:n teknologialla. Yrityksellä on kaksi tällaista tuotantolaitosta Arizonassa ja Oregonissa sekä kaksi valmistumassa tänä vuonna Oregoniin ja Irlantiin.
Uudella teknologialla voidaan valmistaa siruja, joissa on viisi kertaa vähemmän vuotoja kuin tämän päivän siruissa. Näin akkukestoa saadaan edelleen lisää kannettaviin tietokoneisiin. On myös mahdollista valmistaa entistä tehokkaampia laitteita pienemmässä koossa.
45 nanometrin prosessilla tuotetussa sram-sirussa on yli miljardi transistoria.